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　　在科技创新的浪潮中，安徽芯塔电子科技有限公司正在为半导体行业注入新动力。2024年12月，该公司申请了名为“一种改善雪崩能力的SiC JEFT器件及其制造方法”的专利（公开号CN119698046A），这一进展引发了业界的广泛关注。

　　此次发明的核心在于其独特的设计，通过在一个沟槽中同时布置源区和栅区，并设定不同的掺杂深度，以增强器件的可靠性。具体而言，源区的第二类型掺杂区结深度更深，这使得在关断状态下，最大电场会定位在源区的结边缘，进而让雪崩电流通过源区的欧姆接触进入源极，而无需再经过栅极。这一创新不仅提升了SiC JEFT器件的可靠性，还为高功率应用和电力电子的稳定性提供了强有力的支撑。

　　作为一家成立于2020年的新兴企业，安徽芯塔电子科技有限公司现已成为科技推广与应用服务行业的佼佼者。截至目前，该公司拥有专利信息40条，显示出其在研发创新方面的持续投入和潜力。

　　随着电子设备对高性能半导体的需求日益增长，芯塔电子这一项突破性技术可能会为未来的电子产品开辟新的市场，甚至在更广泛的科技生态中发挥重要角色。我们期待这场科技革命将如何推动行业变革，重塑未来。返回搜狐，查看更多